Elektronski filmovi silicijuma nitrida nastaju kemijskim taloženjem pare ili kemijskim taloženjem pare u plazmi:
3 sih4 (g) + 4 nh3 (g) → si3n4 (s) + 12 h2 (g)
3 sicl4 (g) + 4 nh3 (g) → si3n4 (s) + 12 hcl (g)
3 sicl2h2 (g) + 4 nh3 (g) → si3n4 (s) + 6 hcl (g) + 6 h2 (g)
Ako se silicijski nitrid odloži na podlogu poluvodiča, dostupne su dvije metode:
1.
Koristite taloženje kemijskog pare niskog tlaka pri relativno visokim temperaturama u vertikalnoj ili vodoravnoj peći.
2.
Plazma poboljšano taloženje kemijskog pare pri relativno niskim temperaturama u vakuumu.
Parametri jedinične ćelije silicijevog nitrida razlikuju se od onih elementarnih silicija. Stoga će, ovisno o metodi taloženja, rezultirajući film silicijuma nitrida imati napetost ili stres. Konkretno, kada se koristi taloženje kemijskog pare u plazmi, napetost se može smanjiti podešavanjem parametara taloženja.
Silicij-dioksid se prvo priprema sol-gel metodom, a zatim se silikagel koji sadrži ultrafine čestice ugljika tretira karbotermalnim redukcijom i nitridacijom kako bi se dobila silicijanski nitridni nanovovci. Ultrafine čestice ugljika u silikagelu proizvode se raspadajućim glukozom na 1200-1350 stupnju. Reakcije uključene u proces sinteze mogu biti:
SiO2 (s) + C (s) → SiO (G) + Co (G)
3 Sio (g) + 2 n2 (g) + 3 co (g) → si3n4 (s) + 3 co2 (g) ili
3 Sio (g) + 2 n2 (g) + 3 c (s) → si3n4 (s) + 3 co (g)
