Njegova metoda sinteze uglavnom koristi elementarni silicij i dušik za kemijsku reakciju u uvjetima od 1.300 stupnjeva Celzija do 1.400 stupnjeva Celzija, a zatim dobiva silicijev nitrid. Također se može sintetizirati putem diimina ili se može koristiti ugljik. Reakcija toplinske redukcije sintetizira se pod dušikom između 1400 i 1450 stupnjeva Celzijusa. Karbotermalna redukcijska reakcija je jednostavan način i isplativ način za proizvodnju praha silicijevog nitrida u industriji.
Ako želite taložiti silicijev nitrid na poluvodič, možete koristiti tehnologiju kemijskog taloženja iz pare pod niskim pritiskom na relativno visokoj temperaturi pomoću vertikalne ili horizontalne cijevne peći ili možete koristiti tehnologiju kemijskog taloženja iz pare poboljšane plazmom na relativno visokoj temperaturi . Izvedite pod niskim vakuumom. Budući da se parametri jedinične ćelije silicijevog nitrida razlikuju od onih elementarnog silicija, generirani film silicijevog nitrida stvarat će napetost ili naprezanje ovisno o metodi taloženja. Osobito kada se koristi plazma-pojačana tehnologija kemijskog taloženja iz pare, ona se može prilagoditi Parametri taloženja tako djeluju na smanjenje napetosti.
Granulirani silicijev nitrid teško se obrađuje i ne može se zagrijavati iznad tališta, jer ako se prekorači talište, silicij nitrid će se razgraditi na silicij i dušik, pa na to morate obratiti pozornost tijekom obrade.
