W. Zhu i sur. proizveli su ultrafine prahove visoke čistoće na 1200 ~ 1400 stupnjeva kemijskim taloženjem iz pare koristeći silan i acetilen kao reakcijske plinove i vodik kao plin nosač. Koristeći heksametilsilan kao izvor reakcije te vodik i argon kao plinove nosače, Anaguta et al. također proizvodi ultrafine prahove silicija visoke čistoće visoke čistoće kemijskim taloženjem iz pare na 1050 ~ 1250 stupnjeva.
Članovi obiju ovih istraživačkih skupina koristili su kemijsko taloženje iz pare za proizvodnju praha silicija visoke čistoće koristeći izvore organskog plina. Međutim, proizvedeni ultrafini prahovi bili su nanomjerni. Iako je čistoća visoka, nije ga lako prikupiti i nije prikladan za proizvodnju praha silicija visoke čistoće visoke čistoće u velikim količinama, što nije pogodno za razvoj industrijalizacije u kasnijoj fazi.
Način proizvodnje s automatskim transportom
Ova metoda uzima prah silicija i čađu kao sirovine, dodaje druge aktivatore i izravno reagira na 1000 ~ 1150 stupnjeva kako bi proizveo prah. Uvođenje katalizatora neizbježno će utjecati na čistoću i kvalitetu proizvedenog praha silicija visoke čistoće.
Stoga su mnogi istraživači na ovoj osnovi predložili poboljšanu metodu samopropagirajuće sinteze. Glavno poboljšanje je izbjegavanje uvođenja aktivatora i osiguravanje kontinuirane i učinkovite reakcije proizvodnje povećanjem temperature proizvodnje i kontinuiranim dovodom topline. Još 1999. godine u Japanu su praškovi s veličinama čestica od 10 ~ 500 μm proizvedeni metodom izgaranja u rasponu od 1700 ~ 2000 stupnjeva koristeći etil ortosilikat kao izvor silicija i fenolnu smolu kao izvor ugljika, a maseni udio sadržaja nečistoća bio je manji od 0,5 × 10-6.
Međutim, reaktanti ove metode koriste organske materijale, tako da je cijena sirovina visoka, što ne pogoduje velikoj proizvodnji praha silicija visoke čistoće. Istraživači na Šangajskom institutu za istraživanje silicija Kineske akademije znanosti proizveli su na visokoj temperaturi u atmosferi argona s masenim udjelima od 99,9% odnosno 99,999%.
Istraživači su koristili aktivni ugljen (veličina čestica 20 ~ 100 μm) i ljuskasti grafit (veličina čestica 5 ~ 25 μm) kao izvor ugljika (maseni udio 99,9%) i silicij visoke čistoće kao izvor silicija (veličina čestica 10 ~ 270 μm , maseni udio 99,999%).
Silicijski prah visoke čistoće pripremljen je u vakuumskoj visokotemperaturnoj peći za sinteriranje na 1900 stupnjeva u atmosferi argona. Eksperimenti su pokazali da je čistoća proizvedenog u visokom vakuumu bolja od čistoće praha silicija visoke čistoće proizvedenog pod plinom nosačem. Osim toga, monokristali su uzgojeni korištenjem praha silicija visoke čistoće proizvedenog pod visokim vakuumom. Rezultati pokazuju da su uzgojeni monokristali visoke čistoće i imaju izvrsna poluizolacijska svojstva, koja zadovoljavaju zahtjeve srodnih uređaja za električna svojstva poluizolacijskih supstrata. Izgledi za tehnologiju proizvodnje praha visoke čistoće
Poboljšana proizvodnja koja se sama razmnožava uobičajena je metoda za uzgoj monokristala u laboratoriju zbog niske cijene sirovina i jednostavnosti. Utvrđeno je da različiti parametri proizvodnog procesa utječu na proizvodne proizvode.
